特許
J-GLOBAL ID：200903042337086888
半導体レーザ装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-147016
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340562
出願日： 1998年05月28日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 従来例に比較して閾値電流を低くすることができる、導波路レンズが一体で形成された半導体レーザ装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 p型クラッド層とn型クラッド層との間に量子井戸層を備え、量子井戸層が実質的に一定の厚さになるように形成されたレーザ発振活性層とレーザ発振活性層との境界から出射端に向かって徐々に厚さが減少するように形成された導波路層とからなる導波路レンズ一体型の半導体レーザ装置であって、導波路層において、レーザ発振活性層の厚さの70%以上の厚さを有する第1導波路層の長さを、レーザ発振活性層の厚さの70%以下の厚さを有する第2導波路層の長さより短くした。
請求項（抜粋）：
p型クラッド層とn型クラッド層との間に量子井戸層を備え、上記量子井戸層が、実質的に一定の厚さになるように形成されたレーザ発振活性層と、上記レーザ発振活性層との境界から出射端に向かって徐々に厚さが減少するように形成された導波路層とからなる導波路レンズ一体型の半導体レーザ装置であって、上記導波路層において、上記レーザ発振活性層の厚さの70%以上の厚さを有する第1導波路層の長さを、上記レーザ発振活性層の厚さの70%以下の厚さを有する第2導波路層の長さより短くしたことを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
前のページに戻る
