特許

J-GLOBAL ID：200903042337229190

結晶成長用ルツボ及びそれを用いて成長させた半導体単結晶

発明者： 藤崎 稲雄 ,  水庭 清治 ,  関 実
出願人/特許権者： 日立電線株式会社 ,  日立電線メクテック株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-061209
公開番号（公開出願番号）：特開2009-215112
出願日： 2008年03月11日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：

【課題】縦型ボート法において、双晶不良の発生を抑制する結晶成長用ルツボを提供する。【解決手段】一方に円錐台形の肩部5を備えた円筒形の直胴部6と、前記肩部5の先端に設けられ種結晶3を収納する細径部4とを有し、前記肩部5及び前記直胴部6に収容される結晶原料融液を、前記細径部4から前記直胴部6へ向かって結晶成長させる結晶成長用ルツボ1において、前記肩部5の内壁面に、結晶成長方向に対してほぼ垂直に、円周状の凹溝8を所定の間隔を隔てて複数形成するものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一方に円錐台形の肩部を備えた円筒形の直胴部と、前記肩部の先端に設けられ種結晶を収納する細径部とを有し、前記肩部及び前記直胴部に収容される結晶原料融液を、前記細径部から前記直胴部へ向かって結晶成長させる結晶成長用ルツボにおいて、 前記肩部の内壁面に、結晶成長方向に対してほぼ垂直に、円周状の凹溝を所定の間隔を隔てて複数形成することを特徴とする結晶成長用ルツボ。

IPC (1件)：

C30B 11/00

FI (1件)：

C30B11/00 C

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077BE44 ,  4G077BE46 ,  4G077CD02 ,  4G077CD04 ,  4G077EG01 ,  4G077HA02 ,  4G077MA01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 結晶の育成方法及び育成用ルツボ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-112539   出願人：住友電気工業株式会社
• 坩堝、及び該坩堝を備えた結晶製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-417232   出願人：キヤノン株式会社