特許

J-GLOBAL ID：200903042347994952

導電性回路形成方法

発明者： 木下 直輝 ,  和田 津久生 ,  正木 康史
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (2件)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-190557
公開番号（公開出願番号）：特開2007-012814
出願日： 2005年06月29日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：

【課題】 密着力の高い導電性回路を安価に且つ生産性高く形成することが可能になる導電性回路形成方法を提供する。【解決手段】 カソード電極1に設けたターゲット2からスパッタさせた金属原子を基板3の表面に堆積させるスパッタリング法で、基板3に回路形成用の導体膜4を形成する工程を有する導電性回路形成方法に関する。ターゲット1として、回路形成用の金属からなる回路形成用金属ターゲット5と、回路形成用金属よりも基板3に対する密着性の高い金属からなる高密着性金属ターゲット6を用い、各ターゲット5,6から同時に金属をスパッタさせて両金属からなる導体膜4を基板3に形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

カソード電極に設けたターゲットからスパッタさせた金属原子を基板の表面に堆積させるスパッタリング法で、基板に回路形成用の導体膜を形成する工程を有する導電性回路形成方法において、ターゲットとして、回路形成用の金属からなる回路形成用金属ターゲットと、回路形成用金属よりも基板に対する密着性の高い金属からなる高密着性金属ターゲットを用い、各ターゲットから同時に金属をスパッタさせて両金属からなる導体膜を基板に形成することを特徴とする導電性回路形成方法。

IPC (3件)：

H05K 3/38 ,  C23C 14/34 ,  H05K 3/16

FI (4件)：

H05K3/38 C ,  C23C14/34 C ,  C23C14/34 S ,  H05K3/16

Fターム (30件)：

4K029AA07 ,  4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA07 ,  4K029BA08 ,  4K029BA17 ,  4K029BB02 ,  4K029BC03 ,  4K029CA05 ,  4K029DA12 ,  4K029DC03 ,  4K029DC15 ,  4K029DC39 ,  4K029DC43 ,  4K029FA05 ,  4K029FA06 ,  4K029GA00 ,  4K029KA01 ,  4K029KA09 ,  5E343AA02 ,  5E343AA11 ,  5E343BB15 ,  5E343BB24 ,  5E343BB38 ,  5E343BB71 ,  5E343DD25 ,  5E343DD43 ,  5E343DD75 ,  5E343FF16 ,  5E343GG02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開昭51-125641号公報
  

審査官引用 (6件)

• 導体膜およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-205840   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-318934
  
• スパッタ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-345834   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭62-222054
  
• 特開平4-318934
  
• 特開昭62-222054