特許
J-GLOBAL ID：200903042348411357

発光素子及びその製造方法

発明者：
トゥ チョアン-チェン

トゥ チョアン-チェン について

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ウ ジェン-チャウ

ウ ジェン-チャウ について

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シエ ユ-レン

シエ ユ-レン について


出願人/特許権者：
エピスター コーポレイション

エピスター コーポレイション について


代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-312177
公開番号（公開出願番号）：特開2006-216933
出願日： 2005年10月27日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：
【課題】 優れた熱伝導性を有する熱伝導経路を備えた発光素子を提供する。【解決手段】 発光構造と、第1誘電体層と、第1金属層と、第2金属層と、第2誘電体層とを備えるフリップチップLEDを提供する。発光構造は第1導電層と、能動層と、第2導電層とを含む。第1導電層の上には能動層が配置され、能動層の上には第2導電層が配置される。第1金属層は発光構造の上に配置され、かつ第1導電層に接触する。第1金属層の一部は第1誘電体層の上に配置される。第2金属層は発光構造の上に配置され、かつ第2導電層に接触する。第2金属層の一部は第1誘電体層の上に配置される。第1誘電体層の上には第2誘電体層が配置される。【選択図】 図1D
請求項（抜粋）：
発光素子(LED)を形成する方法であって、 発光構造を形成する工程であって、前記発光構造は第1導電層と、能動層と、第2導電層とを含み、前記能動層は発光層であるとともに前記第1導電層の上に配置され、前記第2導電層は前記能動層の上に配置されている、工程と、 前記発光構造の上に第1誘電体層を形成する工程と、 前記第1誘電体層の上に第2誘電体層を形成する工程と、 第1金属層を形成する工程であって、前記第1金属層は前記発光構造の上に配置されるとともに、前記第1導電層に電気的に接続され、前記第1金属層の一部は前記第1誘電体層の上に配置される、工程と、 第2金属層を形成する工程であって、前記第2金属層は前記発光構造の上に配置されるとともに、前記第2導電層に電気的に接続され、前記第2金属層の一部は前記第1誘電体層の上に配置される、工程とを備え、 前記第1誘電体層及び前記第2誘電体層は、前記第1金属層を前記第2金属層から電気的に絶縁し、 前記第1誘電体層の一部は透明層であり、前記第1金属層及び第2金属層の少なくともいずれかに接触する前記第1誘電体層の表面は、前記発光構造から放出される光を反射するために設けられる、方法。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (3件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C ,  H01L33/00 N
Fターム (10件)：
5F041AA33 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA77 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA20
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 米国出願番号第2004/0188696号
  • 米国出願番号第2004/0203189号
審査官引用 (5件)
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