特許
J-GLOBAL ID:200903042373376108

化学増幅ポジ型レジスト材料

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 隆司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-266776
公開番号(公開出願番号):特開平9-211866
出願日: 1996年09月17日
公開日(公表日): 1997年08月15日
要約:
【要約】【課題】 遠紫外線、電子線、X線等の高エネルギー線に対して高い感度を有し、アルカリ水溶液で現像することによりパターン形成できる、微細加工技術に適した化学増幅ポジ型レジスト材料を得る。【解決手段】 (A)有機溶剤、(B)ベース樹脂として下記一般式(1)で示され、重量平均分子量が3,000〜300,000である高分子化合物、(C)酸発生剤、(D)溶解制御剤を含有してなる化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(R<SP>1</SP>はH又はCH<SB>3</SB>、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>は酸不安定基である。0.02≦p/(p+q+r)≦0.5、0.01≦q/(p+q+r)≦0.3、0<(p+q)/(p+q+r)≦0.8、aは1〜3である。)
請求項(抜粋):
(A)有機溶剤(B)ベース樹脂として下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有し、重量平均分子量が3,000〜300,000である高分子化合物【化1】(但し、式中R<SP>1</SP>は水素原子又はメチル基であり、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>は互いに異なる酸不安定基である。p、q、rは正数で、0.02≦p/(p+q+r)≦0.5、0.01≦q/(p+q+r)≦0.3、0<(p+q)/(p+q+r)≦0.8を満足する数である。aは1〜3の正数である。)(C)酸発生剤を含有してなることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。
IPC (4件):
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027
FI (4件):
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許:
審査官引用 (5件)
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