レジスト材料

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-115308
公開番号（公開出願番号）：特開平6-273935
出願日： 1993年04月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【構成】下記示性式(1)【化1】(但し、R1,R3,R5は水素原子又はメチル基を、R2はtert-ブチル基、メトキシメチル基,テトラヒドロピラニル基又はトリアルキルシリル基を、R4は低級アルキルオキシ基又は水素原子を示し、m+n+k=1である。)で表わされるベース樹脂(A)と、オニウム塩(B)と、及び酸不安定基を含有する溶解阻止剤(C)とを有機溶剤に溶解してなることを特徴とする化学増幅型レジスト材料。【効果】本発明により得られるポジ型レジストは、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。しかもレジストパターンの耐熱性が優れている。また、パターンがオーバーハング状になりにくく、寸法制御性に優れている。これらの特性により、特にKrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成できる特徴がある。

請求項（抜粋）：

下記示性式(1)【化1】(但し、R1,R3,R5は水素原子又はメチル基を、R2はtert-ブチル基、メトキシメチル基,テトラヒドロピラニル基又はトリアルキルシリル基を、R4は低級アルキルオキシ基又は水素原子を示し、m+n+k=1である。)で表わされるベース樹脂(A)と、オニウム塩(B)と、及び酸不安定基を含有する溶解阻止剤(C)とを有機溶剤に溶解してなることを特徴とする化学増幅型レジスト材料。

IPC (5件)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/029 , G03F 7/033 , H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-211258
特開平3-107165
特開平2-177031

全件表示

前のページに戻る