特許
J-GLOBAL ID：200903042431626284

気相成長方法

発明者：
川戸 伸一

川戸 伸一 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-246794
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077167
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 気相成長中の全般にわたって正確に基板温度を測定する。【解決手段】 基板表面の一部に、成長膜による熱放射線の干渉が生じない部分を予め設けておき、その部分からの熱放射線の強度によって表面温度を測定する。例えば、基板表面の一部14を粗面化したり、基板表面の一部にその上に成長膜がエピタキシャル成長しない材料からなる薄膜を設けておいたり、基板表面の一部に成長膜とほぼ同じ屈折率を有する材料からなる薄膜を設けておく。
請求項（抜粋）：
基板表面上に、その表面からの熱放射線の強度によって温度を測定しながら、エピタキシャル成長膜を成長する気相成長方法において、成長前に、成長膜による熱放射線の干渉が生じない部分を該基板表面の一部に予め設けておき、その部分からの熱放射線の強度によって表面温度を測定する気相成長方法。
IPC (5件)：
H01L 21/66 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/30
FI (5件)：
H01L 21/66 T ,  H01L 21/02 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 A ,  H01S 5/30
Fターム (34件)：
4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106AB09 ,  4M106AB10 ,  4M106BA20 ,  4M106CA70 ,  4M106DH02 ,  4M106DH13 ,  4M106DH55 ,  4M106DH60 ,  5F041AA46 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB32 ,  5F045AF04 ,  5F045AF12 ,  5F045BB10 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA64 ,  5F045GB05 ,  5F073CA05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM