特許
J-GLOBAL ID：200903042451077090
厚膜パターンの断線補修方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土井 育郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-177168
公開番号（公開出願番号）：特開2000-011883
出願日： 1998年06月24日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 新たな断線を発生せず、しかも厚膜パターンの寸法精度を維持できる上に、非常に短い時間での補修を可能とする。【解決手段】 基板1上に厚膜状態でパターニングされた基板全体を焼成することによりペースト中の有機分を焼失して形成された厚膜パターン2における断線部分の補修方法において、厚膜パターン2をパターンする際に使用したペーストより溶融温度の低い補修ペースト4を断線部分に適当量だけ塗布した後、この補修ペースト4を覆う大きさの照射領域にレーザーを照射して補修ペースト4中の有機分を焼失させる。厚膜パターンを形成するペーストと同じペーストを使用するよりも短時間での補修が可能となる。
請求項（抜粋）：
基板上に厚膜状態でパターニングされ基板全体を焼成することによりペースト中の有機分を焼失して形成された厚膜パターンにおける断線部分の補修方法において、厚膜パターンをパターニングする際に使用したペーストより溶融温度の低い補修ペーストを断線部分に適当量だけ塗布した後、この補修ペーストを覆う大きさの照射領域にレーザーを照射して補修ペースト中の有機分を焼失させることを特徴とする電極の断線補修方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 9/50 A
, H01J 17/49 Z
5C012AA05
, 5C040BB02
, 5C040BB18
