特許

J-GLOBAL ID：200903042458256470

シリコン層の製造方法および半導体装置の製造方法

発明者： 矢元 久良 ,  山中 英雄 ,  矢木 肇 ,  佐藤 勇一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-304927
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133808
出願日： 1998年10月27日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】 シリコンエピタキシー層を膜厚の制御性よく形成することが困難であり、また大型の低融点ガラス基板上にシリコンエピタキシー層を形成することは困難であった。【解決手段】 絶縁基体11の表面側に結晶成長のシード12を形成した後、絶縁基体11の表面側に所定の膜厚の非晶質シリコンもしくは多結晶シリコンからなるシリコン薄膜14を形成し、次いで低融点金属溶融液15中に絶縁基体11を通過させてシリコン薄膜14を低融点金属溶融15中に溶解させ、その後低融点金属溶融液15より絶縁基体11を引き上げることで、結晶成長のシード12を起点にして低融点金属溶融液15中に溶解したシリコンを結晶成長させ、シリコン層16を形成するシリコン層の製造方法である。またそのシリコン層16に所定の処理を施して半導体素子を形成する半導体装置の製造方法である。

請求項（抜粋）：

絶縁基体の表面側に結晶成長のシードを形成する工程と、前記絶縁基体の表面側に所定の膜厚の非晶質シリコンもしくは多結晶シリコンからなるシリコン薄膜を形成する工程と、低融点金属溶融液中に前記絶縁基体を浸漬させて前記シリコン薄膜を前記低融点金属溶融液中に溶解させた後、冷却処理により、前記結晶成長のシードを起点にして前記低融点金属溶融液中に溶解したシリコンを結晶成長させ、前記絶縁基体の表面側にシリコン層を形成する工程とを備えたことを特徴とするシリコン層の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C30B 9/10 ,  C30B 29/06 501 ,  H01L 21/208

FI (4件)：

H01L 29/78 627 G ,  C30B 9/10 ,  C30B 29/06 501 Z ,  H01L 21/208 Z

Fターム (58件)：

4G077AA03 ,  4G077AB07 ,  4G077BA04 ,  4G077CC04 ,  4G077EA01 ,  4G077EA04 ,  4G077ED06 ,  4G077EH07 ,  5F053AA03 ,  5F053AA25 ,  5F053AA26 ,  5F053AA47 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053GG02 ,  5F053HH05 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053KK03 ,  5F053LL10 ,  5F053PP02 ,  5F053PP11 ,  5F053PP12 ,  5F053PP13 ,  5F053RR01 ,  5F053RR03 ,  5F053RR13 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110DD24 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG41 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL06 ,  5F110NN02 ,  5F110NN25 ,  5F110PP31 ,  5F110PP36 ,  5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-025806   出願人：株式会社東芝
• 結晶シリコン薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-148937   出願人：大同ほくさん株式会社
• SOIウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-295059   出願人：大同ほくさん株式会社