半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-090662
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278382
出願日： 2005年03月28日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】低コストで高い信頼性を有する逆阻止型の半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップを構成する表面構造を形成した薄い半導体ウェハ1の表面を両面粘着テープで支持基板19に貼り付け、薄い半導体ウェハ1の裏面からスクライブラインとなるトレンチをエッチングで形成し、トレンチの側面に異なる導電型の層を形成するためにイオン注入を行い、その後のアニールをレーザー照射で行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板の主面に断面形状がV字状または台形状である溝を形成し、該溝の側面に第2導電型不純物を導入してレーザー照射によって活性化させる製造方法において、前記溝の主面に対する傾斜角度が70度以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/265 , H01L 29/78 , H01L 21/76 , H01L 29/12 , H01L 29/739 , H01L 21/336 , H01L 21/761

FI (7件)：

H01L21/265 602C , H01L29/78 652R , H01L29/78 652T , H01L29/78 655A , H01L29/78 658Z , H01L21/265 V , H01L21/76 J

Fターム (10件)：

5F032AB02 , 5F032BA01 , 5F032BB08 , 5F032CA21 , 5F032CA24 , 5F032DA24 , 5F032DA25 , 5F032DA44 , 5F032DA74 , 5F032DA77

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平2-22869号公報
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-191327 出願人：富士電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-257341 出願人：富士電機株式会社

審査官引用 (7件)

ドープ側壁による溝分離方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-329811 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
超スケーラブルな高速ヘテロ接合垂直NチャネルMISFETおよびその方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-175740 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
特開平4-251959

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