特許
J-GLOBAL ID：200903010317465298
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-257341
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076017
出願日： 2000年08月28日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】逆阻止型IGBTの良好なターンオフ特性を維持しながら、ダイオード動作させた場合に良好な逆回復特性を示す逆阻止型の半導体装置を提供すること。【解決手段】高比抵抗のNベース層2の表面にPベース層3を形成し、裏面側にPコレクタ層1を形成し、Pベース層3の表面部にはNエミッタ層4を形成し、2つのNエミッタ層4で挟まれた領域のPベース層3とNベース層2の上にはゲート絶縁膜5を形成し、ゲート絶縁膜5の上にゲート電極6を形成し、任意の深さに局所的にライフタイムキラーを存在させることのできるHe照射やプロトン照射などを用い、Pコレクタ層1とNベース層2との接合付近に局在化させる。ライフタイムキラーを局在化させることで、ダイオード動作時の逆回復ピーク電流(Irp)を小さくし、ソフトリカバリー特性とする。
請求項（抜粋）：
第1導電型ベース層と、該第1導電型ベース層の表面に選択的に形成された第2導電型ベース層と、該第2導電型ベース層の表面に選択的に形成された第1導電型ソース層と、前記第1導電型ベース層と前記第1導電型ソース層に挟まれた前記第2導電型ベース層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記第1導電型ソース層と第2導電型ベース層に接触して形成された第1主電極と、前記第1導電型ベース層の裏面に形成された第2導電型コレクタ層と、該コレクタ層上に形成された第2主電極とを具備し、順阻止耐圧と同等の逆阻止耐圧を有する半導体装置において、第1導電型ベース層と第2導電型コレクタ層の接合近傍にライフタイムキラーを局在化させることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/78 655
H01L 29/78 655 F
, H01L 29/78 658 H
