特許

J-GLOBAL ID：200903042480509218

記憶素子及び記憶装置

発明者： 水口 徹也 ,  荒谷 勝久 ,  河内山 彰 ,  山田 直美
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-349787
公開番号（公開出願番号）：特開2007-157941
出願日： 2005年12月02日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：

【課題】データ保持特性の良好な記憶素子を提供する。【解決手段】第1の電極2と第2の電極6との間に記憶層3が配置され、この記憶層3に接して、Cu,Ag,Znから選ばれるいずれかの元素が含まれたイオン源層4が設けられ、記憶層3がNiO,CoO,CeO2から選ばれる1種類以上の酸化物から成る記憶素子10を構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の電極と第2の電極との間に、記憶層が配置され、 前記記憶層に接して、Cu,Ag,Znから選ばれるいずれかの元素が含まれたイオン源層が設けられ、 前記記憶層が、NiO,CoO,CeO2から選ばれる1種類以上の酸化物から成る ことを特徴とする記憶素子。

IPC (3件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (4件)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 A ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (5件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40

引用特許：

出願人引用 (1件)

• プログラマブルマイクロエレクトロニックデバイスおよびその形成およびプログラミング方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-599033   出願人：アリゾナボードオブリージェンツ

審査官引用 (2件)

• 半導体記憶素子及びこれを用いた半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-137651   出願人：ソニー株式会社
• 記憶素子及び記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-182775   出願人：ソニー株式会社