特許
J-GLOBAL ID：200903042482701264
成膜方法および電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
特許業務法人ハートクラスタ
, 川嶋 正章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-129186
公開番号（公開出願番号）：特開2009-277565
出願日： 2008年05月16日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：
【課題】固体電解質層のクラックを防止しうる成膜方法、およびこれを利用した電池を提供する。【解決手段】 正極集電体1aの上に、正極活物質層1bを形成する。正極活物質層1bを500°C程度の温度に加熱して、アニールを行う。正極活物質層1bの温度(基材温度)を200°Cを超え300°C以下の範囲内に保持し、固体電解質層3を形成する。このとき、真空蒸着,スパッタリング,レーザーアブレーション,イオンプレーティング等の気相成長法を用いる。固体電解質層3は、リン,珪素,ゲルマニウム,およびガリウムから選ばれた少なくとも1つの物質と、リチウムと、硫黄とを含んでいる。このうち、リチウムの原子百分率は、20%以上65%以下である。その後、半田リフロー炉に通しても、固体電解質層3にクラックが生じない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
気相成長法により、基材上に、リン,珪素,ゲルマニウム,およびガリウムから選ばれた少なくとも1つの物質と、リチウムと、硫黄とを含む固体電解質層を形成する工程を含み、
前記工程では、前記基材を、200°Cを超え300°C以下の温度に保持する、成膜方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01M10/00 107
, H01M10/00 102
, H01M6/18 A
5H024AA02
, 5H024AA11
, 5H024AA12
, 5H024BB11
, 5H024BB18
, 5H024CC03
, 5H024FF23
, 5H024HH01
, 5H024HH11
, 5H029AJ02
, 5H029AK02
, 5H029AK03
, 5H029AL03
, 5H029AL08
, 5H029AL11
, 5H029AL12
, 5H029AM12
, 5H029BJ03
, 5H029CJ24
, 5H029HJ01
, 5H029HJ14
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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