特許
J-GLOBAL ID:200903042517986666
薄膜サーミスタ素子
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-255225
公開番号(公開出願番号):特開2001-076903
出願日: 1999年09月09日
公開日(公表日): 2001年03月23日
要約:
【要約】【課題】 NTCサーミスタ素子の小型化および抵抗値やB定数の高精度化を実現する。【解決手段】 アルミナから成る下地基板11上に、菱面体晶系(012)面に優先配向したペロブスカイト型結晶構造のLaCo酸化物サーミスタ薄膜12と、Pt薄膜から成るくし形電極対13,14とが形成されて成っている。
請求項(抜粋):
サーミスタ薄膜と、前記サーミスタ薄膜上に設けられた1対の電極とを有する薄膜サーミスタ素子であって、前記サーミスタ薄膜が(012)面に配向した菱面体晶系ペロブスカイト型結晶構造を有していることを特徴とする薄膜サーミスタ素子。
Fターム (7件):
5E034BA09
, 5E034BB08
, 5E034BC01
, 5E034DA02
, 5E034DC01
, 5E034DE04
, 5E034DE16
引用特許:
出願人引用 (3件)
-
PTCサーミスタ薄膜素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-032456
出願人:松下電器産業株式会社
-
特開平4-170396
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半導体セラミック素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-020537
出願人:株式会社村田製作所
審査官引用 (3件)
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PTCサーミスタ薄膜素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-032456
出願人:松下電器産業株式会社
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特開平4-170396
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半導体セラミック素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-020537
出願人:株式会社村田製作所
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