特許
J-GLOBAL ID：200903042523651706

有機エレクトロルミネッセンス装置

発明者：
佐々木 博之

佐々木 博之 について

, 
白玖 久雄

白玖 久雄 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-026492
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241160
出願日： 2003年02月03日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：
【課題】歩留りが向上された有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することである。【解決手段】TFT基板8の平坦化層7上にホール注入電極9が各画素毎に形成され、ホール注入電極9上にY方向に沿ってストライプ状に延びる有機層10が形成されている。各画素の有機層10間の平坦化層7上にY方向に沿ってストライプ状に延びる絶縁性の画素分離膜11が形成されている。画素分離膜11の両側面はテーパ状に傾斜している。有機層10および画素分離膜11上にX方向に沿ってストライプ状に延びる透明導電膜からなる電子注入電極12が形成されている。画素分離膜のテーパ角度θ、電子注入電極12の膜厚dおよび電子注入電極12を構成する金属の結合エネルギーVbeは-4.8Vbe+99≦dcosθ≦dを満足するように設定される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に配置された1または複数の有機エレクトロルミネセンス素子と、 前記1または複数の有機エレクトロルミネセンス素子間または前記1または複数の有機エレクトロルミネセンス素子の周囲に形成された絶縁性膜とを備え、 各有機エレクトロルミネセンス素子は、第1の電極、有機発光層および第2の電極を含み、 前記第2の電極は、1種類または2種類以上の金属を含む透明導電膜からなり、前記有機発光層上から前記絶縁性膜絶縁性膜上に延びるように形成され、前記有機発光層に接する前記絶縁性膜の側面がテーパ状に傾斜し、 前記絶縁性膜の側面が前記絶縁性膜の下面に対してなす角度θ[degree]、前記第2の電極の膜厚d[Å]および前記第2の電極を構成する主たる金属の結合エネルギーVbe[eV/atom]が、 dcosθ≧-4.8×Vbe+99 ...(1) 上式(1)の関係を満足することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
IPC (3件)：
H05B33/22 ,  H05B33/14 ,  H05B33/26
FI (3件)：
H05B33/22 Z ,  H05B33/14 A ,  H05B33/26 Z
Fターム (7件)：
3K007AB03 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007EA00 ,  3K007EB00
引用特許：
審査官引用 (4件)
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