特許

J-GLOBAL ID：200903042552336216

磁気抵抗効果薄膜、磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型磁気ヘッド

発明者： 水口 徹也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-213254
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308413
出願日： 2000年07月13日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 スピンに依存した電子の散乱確率を増加させることによって磁気抵抗変化率を向上させ、外部磁界に対する感度を向上させる。【解決手段】 少なくとも反強磁性層4、磁化固定層12、非磁性層9、及び自由層10が順次積層されるとともに、上記磁化固定層12又は自由層10は、一対の磁性層5,8が非磁性中間層6を介して積層されてなる積層フェリ構造を有してなり、上記積層フェリ構造において、上記非磁性層9側の非磁性中間層6表面に、表面酸化層7が形成されている。

請求項（抜粋）：

少なくとも反強磁性層、磁化固定層、非磁性層、及び自由層が順次積層されるとともに、上記磁化固定層又は自由層は、一対の磁性層が非磁性中間層を介して積層されてなる積層フェリ構造を有してなり、上記積層フェリ構造において、上記非磁性層側の非磁性中間層表面に、表面酸化層が形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果薄膜。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16

FI (3件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16

Fターム (15件)：

5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034BA21 ,  5D034BB09 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB04 ,  5E049DB12 ,  5E049GC01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 積層薄膜機能デバイス及び磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-078702   出願人：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子及び磁気記録装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-374033   出願人：株式会社東芝