特許
J-GLOBAL ID：200903042580454518
半導体力学量センサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-251396
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082824
出願日： 1998年09月04日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板に梁構造の可動部と固定部を形成してなる半導体加速度センサにおいて、製造工程時に発生する静電気等により可動部が固定電極あるいは半導体基板と付着するのを防止する。【解決手段】 固定電極と電気接続される電極パッド44a、44cと、可動部と電気接続される電極パッド44bと、貼り合わせ用薄膜の電位を取出すための電極パッド44dと、半導体基板の表面電位を取り出すための電極パッド43を接続配線100でそれぞれ接続し、センサ製造後、接続配線100を切断する。
請求項（抜粋）：
半導体基板を所定パターンでエッチングして、可動電極を有する可動部と、前記可動電極に対向する固定電極とを形成する半導体力学量センサの製造方法において、前記可動部、前記固定電極および前記半導体基板を電気的に接続する接続配線を形成し、前記エッチング後に、前記接続配線を切断することを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/84 Z
, G01P 15/125
4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA26
, 4M112CA31
, 4M112CA33
, 4M112CA34
, 4M112DA02
, 4M112DA05
, 4M112DA06
, 4M112DA12
, 4M112DA16
, 4M112DA18
, 4M112EA03
, 4M112EA04
, 4M112EA06
, 4M112EA07
, 4M112EA11
, 4M112GA03
