特許
J-GLOBAL ID：200903042611094930

半導体電子デバイス

発明者：
吉田 清輝

吉田 清輝 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-313765
公開番号（公開出願番号）：特開2005-085852
出願日： 2003年09月05日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：
【課題】 リーク電流を低減しピンチオフ特性に優れた高耐圧低オン抵抗で動作可能な窒化物系化合物半導体を用いた電子デバイスを提供することにある。【解決手段】 窒化物系化合物半導体から成る電子デバイスの基板上にバンドギャップエネルギーの異なる薄いバッファ層を交互に複数積層し、バンドギャップエネルギーの異なるバッファ層の接触界面近傍のバンドギャップエネルギーの小さい方の層への2次元電子ガスの蓄積を抑えることによってリーク電流の発生を抑制することにより、ピンチオフ特性に優れた高耐圧低オン抵抗で動作可能な窒化物系化合物半導体を用いた電子デバイスを提供する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
窒化物系化合物半導体を用いた半導体電子デバイスにおいて、少なくとも基板と、バッファ層、電子走行層及び電子供給層から成る半導体積層構造と電極とを有し、前記バッファ層は、組成式 AlxInyGa1-x-yAsuPvN1-u-v(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1、0≦u<1、0≦v<1、u+v<1)から成る第1の層と、組成式 AlaInbGa1-a-bAscPdN1-c-d(0≦a≦1、0≦b≦1、a+b≦1、0≦c<1、0≦d<1、c+d<1)から成る第2の層を含み、かつ前記第1の層と前記第2の層はバンドギャップエネルギーが異なり、かつ前記バッファ層中の2次元電子ガス密度が5×1012cm-2以下であることを特徴とする半導体電子デバイス。
IPC (3件)：
H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (23件)：
5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GN08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102HC01 ,  5F102HC24
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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