半導体記憶装置、及びデータ処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：玉村静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-326462
公開番号（公開出願番号）：特開平9-147581
出願日： 1995年11月21日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】フラッシュメモリの記憶情報の一部を書き換える場合のバス占有時間を短縮する。【解決手段】メモリセルアレイ100の一括消去単位に相当するデータ記憶容量を少なくとも有するバッファ回路114と、書き換えコマンド、及び部分的な書き換えのためのアドレス信号及び書き換え用データの入力により、一括消去単位データを上記バッファ回路114に転送して、書き換え用データに基づくデータ書き換えを行い、それを上記メモリセルアレイ100に書き戻すためのメモリ制御回路112とを設け、記憶情報の一部書き換えを内部処理で行うことで、バス占有時間の短縮を図る。

請求項（抜粋）：

複数のフラッシュメモリセルを配列して成るメモリセルアレイを有し、上記メモリセルアレイの記憶情報を所定の消去単位で一括消去可能な半導体記憶装置において、上記メモリセルアレイの一括消去単位に相当するデータ記憶容量を少なくとも有する記憶手段と、外部からの書き換え専用コマンドの入力により、上記メモリセルアレイの書き換えにかかるデータを含む一括消去単位のデータを上記記憶手段に転送して、その記憶手段内で上記書き換え用データに基づく書き換えを行い、それを上記メモリセルアレイに書き戻すための制御手段と、を含むことを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-243421 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立コンピュータエレクトロニクス
不揮発性ICメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-259605 出願人：ローム株式会社
半導体記憶装置とメモリ制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-056655 出願人：沖電気工業株式会社

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