特許
J-GLOBAL ID：200903025796124570
半導体記憶装置とメモリ制御方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 幸男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-056655
公開番号（公開出願番号）：特開平7-244992
出願日： 1994年03月02日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【構成】 フラッシュメモリ部16のデータを書換える場合、転送制御部14aは、先ず、ホストからのライトデータがフラッシュメモリ部16のどの領域へのデータであるかを調べる。ホストからのライトデータが、フラッシュメモリ部16の1ブロック分なかった場合は、そのデータを含むブロックのデータをバッファ部17に転送し、このバッファ部17上で、データの書換えを行う。更に、フラッシュメモリ部16の該当ブロックのデータを消去し、このブロックに、バッファ部17上で書換えたデータを書戻す。一方、ホストからのライトデータが、フラッシュメモリ部16の1ブロック分あった場合は、そのブロック分のデータはバッファ部17に転送せず、そのブロックを消去した後、ライトデータを直接書込む。【効果】 データ書換えを高速に行うことができる。
請求項（抜粋）：
ブロック単位でデータの消去が行われるフラッシュメモリ部を備えた半導体記憶装置において、前記フラッシュメモリ部のデータを書換える場合に、一旦、書換えるデータを転送するバッファ部と、ホストからのライトデータが、前記フラッシュメモリ部の1ブロック分なかった場合は、そのデータを含むブロックを前記フラッシュメモリ部から前記バッファ部へ転送して、当該バッファ部上で書換えを行い、前記ブロックの消去を行った後、前記バッファ部上で書換えた1ブロック分のデータを書戻し、かつ、前記ホストからのライトデータが、1ブロック分あった場合は、そのブロック分のデータを前記フラッシュメモリ部から前記バッファ部へ転送せず、当該ブロックの消去を行った後、前記ライトデータを直接書込む転送制御部とを備えた半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 530 B
, G11C 17/00 510 Z
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (6件)
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