半導体装置

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴木敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-011585
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204540
出願日： 1995年01月27日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】ポンピング時における損失を無くすことによりポンピング効率を向上させることが可能な半導体装置を提供すること。【構成】発振回路10からの出力によりポンピング動作を行うことでVBB電位を出力するVBB電位発生ポンピング回路は、一方がVBB電位の出力側に他方がノードN3に接続されたVBB電位を出力するPMOSトランジスタM5と、発振回路10から出力される信号のレベルが変化するときに、トランジスタM5のゲート入力を制御するPMOSトランジスタM7、M8,CG4から成る制御部とを有する。この制御部は発振回路10から出力される信号のレベルが“H”から“L”に変化すると、トランジスタM5をオン状態に制御してノードN3の電位をVBB電位と等しくする。

請求項（抜粋）：

発振回路からの出力によりポンピング動作を行うことでVBB電位を出力するVBB電位発生ポンピング回路を備えた半導体装置において、前記VBB電位発生ポンピング回路は、一方がVBB電位の出力側に他方が第1の端子に接続されたトランジスタと、前記発振回路に接続され、この発振回路から出力される信号のレベルが“H”から“L”に変化したとき、この“L”レベルよりも低い電位を前記第1の端子に与える低電位手段と、前記発振回路に接続され、この発振回路から出力される信号のレベルが“H”から“L”に変化すると、前記トランジスタをオン状態に制御して第1の端子の電位をVBB電位と等しくする制御手段とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H03K 19/094 , G11C 11/413 , G11C 11/407 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H02M 3/07

FI (4件)：

H03K 19/094 D , G11C 11/34 335 C , G11C 11/34 354 F , H01L 27/04 G

引用特許：

出願人引用 (4件)

基板電位発生回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-119985 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-251494
特開昭62-120122

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