特許

J-GLOBAL ID：200903042660417176

半導体装置とその製造方法

発明者： 川原 登志実 ,  松木 浩久 ,  新間 康弘 ,  米田 義之 ,  深澤 則雄 ,  濱中 雄三 ,  永重 健一 ,  穂積 孝司
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-044919
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243876
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 チップ上の最適な位置に外部接続端子となる突起電極を設ける際に、チップ面積のロス及び電気的特性の劣化を最小限にとどめることを目的とする。【解決手段】 半導体基板と、該半導体基板内に形成された電子回路と、該電子回路の端子と接続された内部配線層と、該半導体基板上の任意の位置で該内部配線層と接続され、該半導体基板上に形成された保護層から表出されたビアと、該ビアと接続され、該保護層上に形成された配線層と、該配線層と接続され、所定の高さを有する突起電極と、該半導体基板及び該突起電極の側面を封止する封止樹脂とを有する半導体装置により課題を解決する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板内に形成された電子回路と、該電子回路の端子と接続された内部配線層と、該半導体基板上の任意の位置で該内部配線層と接続され、該半導体基板上に形成された保護層から表出されたビアと、該ビアと接続され、該保護層上に形成された配線層と、該配線層と接続され、所定の高さを有する突起電極と、該半導体基板及び該突起電極の側面を封止する封止樹脂とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/28 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (6件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/28 Z ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 23/12 W ,  H01L 25/08 B

Fターム (7件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA26 ,  4M109DB11 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA26

引用特許：

審査官引用 (4件)

• チップサイズパッケージ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-221760   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用金型及び半導体装置及びその実装方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-010683   出願人：富士通株式会社, 富士通オートメーション株式会社
• 特開昭63-092037
  
• 特開昭63-092037