特許
J-GLOBAL ID:200903042715612054

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 森本 義弘 ,  笹原 敏司 ,  原田 洋平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-029861
公開番号(公開出願番号):特開2008-198670
出願日: 2007年02月09日
公開日(公表日): 2008年08月28日
要約:
【課題】これまではポリイミドをはじめとする樹脂系のパッシベーション膜に溜まった電荷のために隣り合う金属パッドなどが電気的にショートしてしまう異常が発生する。【解決手段】保護膜2にセパレート溝6を設けることで、保護膜2に溜まってしまった電荷7が、このセパレート溝6でシャットされ、隣り合う電極パッド4や接合用バンプ3の電気的ショートを回避できる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体基板上に設けられた複数の電極パッドと、 前記電極パッド上に開口部を有するように前記電極パッドの周囲および前記半導体基板上を覆うパッシベーション膜と、 前記パッシベーション膜の上方に設けられた保護膜とを備えた半導体装置であって、 前記保護膜は、隣り合う電極パッドの間にセパレート溝を有し、前記セパレート溝には、前記パッシベーション膜が露出していることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件):
H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/12
FI (4件):
H01L21/90 S ,  H01L21/88 T ,  H01L21/92 602K ,  H01L23/12 501P
Fターム (6件):
5F033HH08 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033VV07 ,  5F033XX31 ,  5F033XX34
引用特許:
出願人引用 (2件)

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