特許
J-GLOBAL ID：200903042733948302
磁気検出素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
野▲崎▼ 照夫
, 三輪 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-168218
公開番号（公開出願番号）：特開2006-344728
出願日： 2005年06月08日
公開日（公表日）： 2006年12月21日
要約：
【課題】 特に、ハードバイアス層との絶縁性を適切に保ちながら、フリー磁性層に適切な大きさのバイアス磁界を供給できる磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】 積層体22の側端面22a上に形成される第1の絶縁層の厚みT3を、下部シールド層20上に形成される第2の絶縁層26の膜厚T4より薄く形成する。これにより、ハードバイアス層36からフリー磁性層28に対して適切な大きさのバイアス磁界を供給できる。また、前記ハードバイアス層36と前記積層体22間の絶縁性、及び前記ハードバイアス層36と前記下部シールド層20間の絶縁性を良好に保つことができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
導電層上に形成され下から固定磁性層、非磁性材料層、及びフリー磁性層の順に積層された構造を有する積層体と、前記積層体のトラック幅方向の両側に形成された第1の絶縁層と、前記導電層上に形成され前記第1の絶縁層に繋がる第2の絶縁層と、前記第1の絶縁層上及び第2の絶縁層上に形成されたバイアス層と、を有し、
前記第1の絶縁層のトラック幅方向への厚みは、前記第2の絶縁層の膜厚に比べて薄く形成されていることを特徴とする磁気検出素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08
, H01L 43/12
, G11B 5/39
, H01F 10/30
, H01F 41/32
H01L43/08 B
, H01L43/08 Z
, H01L43/12
, G11B5/39
, H01F10/30
, H01F41/32
5D034BA03
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049BA12
, 5E049DB04
, 5E049DB12
