特許
J-GLOBAL ID：200903020673482399

磁気検出素子及びその製造方法

発明者：
長谷川 直也

長谷川 直也 について

, 
西山 義弘

西山 義弘 について


出願人/特許権者：
アルプス電気株式会社

アルプス電気株式会社 について


代理人 (1件)： 野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-245109
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359416
出願日： 2001年08月13日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：
【要約】【課題】 従来のCPP型磁気検出素子では、素子サイズの狭小化に伴い、再生出力の向上と再生波形の安定性を適切に図ることができなかった。【解決手段】 多層膜30の両側端面にスペキュラー膜31を形成する。またフリー磁性層26の非磁性材料層25が形成されている面と反対側の面に非磁性中間層27を介してハードバイアス層29を形成する。これにより再生出力が高く、また感度が良い再生波形の安定性に優れた磁気検出素子を製造することができる。
請求項（抜粋）：
反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層を有する多層膜が設けられ、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流が流れる磁気検出素子において、前記フリー磁性層の前記非磁性材料層が形成された面と反対側の面には、非磁性中間層を介してバイアス層が設けられ、少なくとも前記固定磁性層から前記フリー磁性層までの各層のトラック幅方向における両側端面には、スペキュラー膜が設けられていることを特徴とする磁気検出素子。
IPC (7件)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/12
FI (7件)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R
Fターム (16件)：
2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA02 ,  5D034BA03 ,  5D034CA06 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049GC01
引用特許：
審査官引用 (6件)
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