特許
J-GLOBAL ID：200903098473948708
パターン形成方法、これを用いた磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッドの製造方法、並びに、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
四宮 通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-039400
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253437
出願日： 2003年02月18日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：
【課題】リフトオフ用レジストパターンをマスクとしてドライエッチングによりパターニングした膜の周縁部等の上に残る不要な形成物を、除去する。【解決手段】基板101上に成膜された複数層23〜28からなる第1の膜上に、リフトオフ用レジストパターンを形成する。前記レジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行うことにより、前記第1の膜をパターニングする。その後、前記レジストパターンが前記第1の膜上に存在する状態で、第2の膜30を成膜する。次に、前記リフトオフ用レジストパターンを除去してリフトオフする。その後、この状態の基板101をエッチングする。このエッチング段階は、エッチング粒子の入射角度を、基板101の法線方向に対して60 ゚以上90 ゚以下に設定して、ドライエッチングを行う段階を含む。【選択図】 図17
請求項（抜粋）：
基体の一方の面側に成膜された1層以上からなる第1の膜上に、リフトオフ用レジストパターンを形成するリフトオフ用レジストパターン形成段階と、
前記リフトオフ用レジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行うことにより、前記第1の膜をパターニングするパターニング段階と、
前記パターニング段階の後に、前記リフトオフ用レジストパターンが前記第1の膜上に存在する状態で、前記基体の前記一方の面側に、1層以上からなる第2の膜を成膜する成膜段階と、
前記リフトオフ用レジストパターンを除去することにより、前記第2の膜の前記リフトオフ用レジストパターン上の部分を除去する除去段階と、
前記除去段階の後に、前記基体の前記一方の面側をエッチングするエッチング段階と、を備え、
前記エッチング段階は、実質的にクラスターを形成しないエッチング粒子を用い、前記基体の前記一方の面側に対する前記エッチング粒子の主たる入射角度を、前記基体の前記一方の面の法線方向に対して60 ゚以上90 ゚以下に設定して、ドライエッチングを行う段階を含む、ことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4件)：
H01L43/12
, C23F1/00
, G11B5/39
, H01L43/08
H01L43/12
, C23F1/00 101
, G11B5/39
, H01L43/08 P
, H01L43/08 Z
4K057DB01
, 4K057DB20
, 4K057DC10
, 4K057DD04
, 4K057DE14
, 4K057DE20
, 4K057DG18
, 4K057WC10
, 5D034BA03
, 5D034DA07
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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