特許
J-GLOBAL ID：200903042746125585
半導体膜の処理方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-216150
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330598
出願日： 1995年08月24日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【課題】 多結晶シリコン膜を能動層とする半導体装置において、平坦な表面を有する多結晶シリコン膜、あるいは不純物である酸素の濃度の低い結晶欠陥の少ない多結晶シリコン膜を得るための半導体膜の処理方法あるいは製造方法を提供する。【解決手段】 非晶質シリコン膜を形成した後、酸素元素を含んだガスを少なくとも含む雰囲気中で固相成長させ、あるいは溶融再結晶化法を用いて多結晶シリコン膜を形成する。あるいは、非晶質シリコン膜2を形成した後、ウエット酸素雰囲気下で熱処理を施し、多結晶シリコン膜3を形成する。
請求項（抜粋）：
水蒸気を含む雰囲気中で、半導体膜の表面を酸化させることを特徴とする、半導体膜の処理方法。
IPC (8件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/316
, H01L 21/324
, H01L 27/10 371
, H01L 27/12
, H01L 27/146
, H01L 29/78
H01L 29/78 627 G
, H01L 21/316 S
, H01L 21/324 Z
, H01L 27/10 371
, H01L 27/12 R
, H01L 27/14 C
, H01L 29/78 301 P
