特許

J-GLOBAL ID：200903042748243640

半導体装置作製方法

発明者： 山口 直明 ,  張 宏勇 ,  寺本 聡
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-156514
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288329
出願日： 1994年06月14日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：

【要約】【目的】 薄膜珪素膜を用いた半導体装置の信頼性と特性を向上させる。【構成】 ガラス基板11上に形成された珪素膜12に水素、フッ素、塩素から選ばれた少なくとも1種類の元素をイオン化して注入することにより、珪素膜12内の珪素の不対結合手を中和し、珪素膜12内における準位を低下させる。この珪素膜を用いてTFTを作製することで、特性の優れたTFTを得ることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に珪素半導体膜を形成する工程と、前記珪素半導体膜に水素、フッ素、塩素から選ばれた1種類以上の元素をイオン化して注入する工程と、前記珪素半導体膜を水素雰囲気、フッ素雰囲気、塩素雰囲気のいずれかの雰囲気、または、水素、フッ素、塩素のいずれかの気体を主成分とする雰囲気において加熱処理する工程と、を有する半導体装置作製方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 21/265 W ,  H01L 21/265 P

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-062526
  
• 特開平3-181119
  
• 薄膜半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-068328   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-117779   出願人：シャープ株式会社
• 特開平4-370937