特許
J-GLOBAL ID：200903042753691456

半導体装置の製造方法

発明者：
長島 直樹

長島 直樹 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-249112
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092827
出願日： 1995年09月27日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】 MOS半導体装置等におけるゲート絶縁膜に対する悪影響等の不都合をもたらすことなく、ショートチャネル効果等に伴う性能上の問題を解決した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ?@ゲート31,32と不純物拡散領域81a,81b,82a,82b,91a,91b,92a,92bを備える半導体装置の製造方法において、ゲート材料のパターン形成後に絶縁膜4を形成し、その後、イオンインプランテーションにより上記絶縁膜中に注入した不純物を熱拡散によって半導体基板に拡散させる。?A上記絶縁膜より不純物が熱拡散しにくい物質を成膜した後、不純物を熱拡散によって半導体基板に拡散させる。
請求項（抜粋）：
ゲートと不純物拡散領域を備える半導体装置の製造方法において、ゲート材料のパターン形成後に絶縁膜を形成し、その後、イオンインプランテーションにより上記絶縁膜中に注入した不純物を熱拡散によって半導体基板に拡散させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/265
FI (4件)：
H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/225 Q ,  H01L 21/265 Y ,  H01L 21/265 A
引用特許：
審査官引用 (11件)
  • 特開平1-235332
  • 特開平3-214725
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-078517   出願人：日本電信電話株式会社
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