特許

J-GLOBAL ID：200903042759600843

マイクロリードスイッチ、マイクロリードスイッチ体及びマイクロリードスイッチ部材の製造方法

発明者： 塚原 靖典 ,  村手 真 ,  糸魚川 貢一
出願人/特許権者： 株式会社東海理化電機製作所
代理人 (1件)： 恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-248922
公開番号（公開出願番号）：特開2001-076599
出願日： 1999年09月02日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】シリコンの微細加工技術を応用することにより、従来のリードスイッチよりも小型化できるとともに、大量生産も可能であり、しかもスイッチ応答性を向上させることができるマイクロリードスイッチを提供する。【解決手段】シリコン基板102に凹部110を形成し、一側面から延出された有弾性の片持ち梁112を配置する。片持ち梁112には磁性薄膜からなる配線パターン115及び可動接点116を形成する。シリコン基板102の一側面に対して接合されたガラス基板101には、可動接点116に対して常には相対的に離間するとともに、磁石(外部磁界)の接近に応じて配線パターン115、可動接点116を通じて磁束が流れ、片持ち梁112が引き寄せられた際に、可動接点116と接触する固定接点(第2電極部の一部を構成する)109を設けた。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の一側面に対して凹部が形成され、同凹部上には前記一側面から延出された有弾性可動片が配置され、前記可動片には、磁性薄膜層を含む第1電極部が形成され、かつ、第1電極部は前記凹部に面する側面とは反対側の側面に接触面が形成され、前記シリコン基板の一側面に対して接合された他の部材には、前記第1電極部に対して常には離間するとともに、外部磁界の変化に応じて前記第1電極部を通じて磁束が流れ、第1電極部を有する可動片が引き寄せられた際に、前記第1電極部の接触面と接触する第2電極部が設けられ、シリコン基板及び他の部材の少なくともいずれか一方には、前記第1電極部、第2電極部を外部の電気素子へ接続するための配線が施されていることを特徴とするマイクロリードスイッチ。

IPC (4件)：

H01H 36/00 302 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  H01H 11/00

FI (4件)：

H01H 36/00 302 H ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  H01H 11/00 R

Fターム (9件)：

5G023AA12 ,  5G023AA20 ,  5G023BA32 ,  5G023BA34 ,  5G023CA29 ,  5G023CA41 ,  5G046CA01 ,  5G046CA06 ,  5G046CD05

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 加速度センサ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-035511   出願人：株式会社東海理化電機製作所
• 特開平4-184834
  
• 回路素子の接続構造及び衝撃センサ並びに衝撃センサのセンサ取付基板への接続構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-161164   出願人：株式会社日本アレフ
• 特開平4-184834