特許

J-GLOBAL ID：200903042768654182

炭素含有タングステン金属の超伝導細線の製造方法

発明者： 平田 和人 ,  エル ハジ サドキ ,  大井 修一
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-250333
公開番号（公開出願番号）：特開2006-063424
出願日： 2004年08月30日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：

【目的】 ナノサイズの超伝導細線を簡便に作製する。【構成】 炭素原子を含むタングステン有機金属ガスを収束イオンビームまたは電子線により分解し、タングステン金属を直接基板上に堆積させ、描画するとともに、その際に、タングステン有機金属ガス中の炭素原子をタングステン金属に含有させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

炭素原子を含むタングステン有機金属ガスを収束イオンビームまたは電子線により分解し、タングステン金属を直接基板上に堆積させ、描画するとともに、その際に、タングステン有機金属ガス中の炭素原子をタングステン金属に含有させることを特徴とする炭素含有タングステン金属の超伝導細線の製造方法。

IPC (4件)：

C23C 16/48 ,  C23C 16/18 ,  H01B 13/00 ,  H01L 39/24

FI (4件)：

C23C16/48 ,  C23C16/18 ,  H01B13/00 561Z ,  H01L39/24 F

Fターム (14件)：

4K030AA11 ,  4K030BA20 ,  4K030CA01 ,  4K030CA13 ,  4K030FA12 ,  4M113AC06 ,  4M113BA15 ,  4M113BA28 ,  4M113BC01 ,  4M113CA12 ,  4M113CA41 ,  5G321AA98 ,  5G321DA99 ,  5G321DD99

引用特許：

審査官引用 (3件)

• FIBをガスが供給される基板表面に照射して超電導膜を成膜する方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-216835   出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社, 独立行政法人物質・材料研究機構
• 特開平3-126836
  
• 特開平3-126836