特許
J-GLOBAL ID：200903005251338652
FIBをガスが供給される基板表面に照射して超電導膜を成膜する方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
坂上 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-216835
公開番号（公開出願番号）：特開2004-059958
出願日： 2002年07月25日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】集束イオンビーム装置を用いて比較的容易に超伝導特性が得られる膜超電導膜(超電導体)の成膜を可能にする。【解決手段】ガス供給機構にそれぞれタングステン(W)を含むガス原料、カーボン(C)を含むガス原料を充填する(W1,C1)。ガス銃それぞれの先端と基板上(表面)との間の距離を調整する(W2,C2)。タングステン(W)及びカーボン(C)のガスをガス銃それぞれの先端から基板表面に供給する(W3,C3)。この二つのガスを基板表面に同時に供給しながらイオンビームを走査照射して超伝導特性がえられる超伝導膜を成膜する(SC,P)。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
集束イオンビーム(FIB)をガスが供給される基板表面に照射して超電導膜を成膜する方法であって、
基板表面にタングステン(W)を含むガスとカーボン(C)を含むガスを供給し、かつ、前記基板表面に集束イオンビームを照射して前記基板表面に超電導膜を成膜することを特徴とする、FIBをガスが供給される基板表面に照射して超電導膜を成膜する方法。
IPC (6件)：
C23C16/32
, C01B31/34
, C01G1/00
, H01B12/06
, H01B13/00
, H01L39/24
C23C16/32
, C01B31/34
, C01G1/00 S
, H01B12/06
, H01B13/00 565Z
, H01L39/24 B
4G047JA03
, 4G047JC16
, 4G047KA01
, 4G047KE03
, 4G047KG01
, 4G047LA05
, 4G146AA16
, 4G146AB07
, 4G146AD22
, 4G146BA12
, 4G146BC08
, 4G146BC15
, 4G146DA23
, 4G146MA07
, 4G146MB03
, 4G146NA11
, 4G146NA12
, 4G146NB04
, 4G146NB05
, 4G146NB11
, 4K030AA09
, 4K030AA12
, 4K030BA20
, 4K030BA36
, 4K030FA12
, 4K030LA03
, 4M113AD36
, 4M113AD58
, 4M113BA04
, 4M113BB14
, 4M113BC04
, 4M113CA12
, 4M113CA42
, 5G321AA98
, 5G321CA21
, 5G321CA24
, 5G321DA12
, 5G321DD99
