特許

J-GLOBAL ID：200903042778657090

半導体露光装置

発明者： 稲 秀樹
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 日比谷 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-181561
公開番号（公開出願番号）：特開平10-010703
出願日： 1996年06月21日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【目的】 コマ収差が存在する投影光学系を使用した露光装置においても十分な高解像力を可能とする。【構成】 レチクル3は石英ガラス基盤4の所定位置に所定高さHのクロム層5が形成されている。ここで、クロム層5の所定高さHは露光のための中心波長λに対して、H=N・λ/2(Nは正の整数)条件を満たす近傍の値とする。

請求項（抜粋）：

中心波長λによりレチクルパターンを投影光学系を介してウエハ上に転写する光リソグラフィによる半導体露光装置において、使用するレチクルのクロムパターンの高さをN・λ/2(Nは正の整数)の近傍としたことを特徴とする半導体露光装置。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/08 G ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 位相シフトマスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-262017   出願人：ソニー株式会社
• 位相シフトマスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-303177   出願人：日本電気株式会社