炭化けい素縦形FETおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-011601
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216407
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】ゲート電圧利得の大きい炭化けい素縦型電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】(1)n+ ソース領域23とp+ コンタクト領域22aとを分離して形成して従来のようにソース電極で短絡せず、p+ 埋め込み領域22をp+ コンタクト領域22aを介してpゲート領域24と同じ電位とする。(2)p+ 埋め込み領域の上部にのみ選択的に、nチャネル領域形成のためのドーピングをおこなう。その製造方法としては、第一のマスクの一部の一方の端によりn+ ソース領域23を規定し、第一のマスクの一部および第二のマスクを除去して第一のマスクの別の部分によりp+ 埋め込み領域22を規定する。

請求項（抜粋）：

第一導電型炭化けい素ドレイン層上に積層された炭化けい素からなる第一導電型ドリフト層と、その第一導電型ドリフト層の表面層に選択的に互いに隔離して形成された第二導電型ゲート領域、第一導電型ソース領域と、その第二導電型ゲート領域および第一導電型ソース領域の下方に、それらと接続しないように埋め込まれて選択的に形成された第二導電型埋め込み領域と、第二導電型ゲート領域の表面に接触して設けられたゲート電極と、第一導電型ソース領域に接触して設けられたソース電極と、第一導電型ドレイン層の裏面に設けられたドレイン電極とを有する炭化けい素縦形FETにおいて、第二導電型埋め込み領域をゲート電極と同電位としたことを特徴とする炭化けい素縦形FET。

IPC (3件)：

H01L 29/80 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 V , H01L 29/80 B

Fターム (13件)：

5F102FA01 , 5F102GB04 , 5F102GC05 , 5F102GC07 , 5F102GC08 , 5F102GD01 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GL02 , 5F102GT02 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC07

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭59-041871
炭化けい素縦型FET
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-183721 出願人：富士電機株式会社
特開昭53-050684

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