特許
J-GLOBAL ID：200903042788116217

不揮発性メモリ装置及びその製造方法

発明者：
孫 文

孫 文 について

, 
金 池 南

金 池 南 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-027397
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040807
出願日： 1999年02月04日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：
【要約】【課題】 不揮発性メモリ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 一本のワードラインと一本のビットラインが交差する領域に第1及び第2メモリセルを具備する。これにより、一本のワードラインで2個のメモリセルの動作が制御できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された一本のワードラインと一本のビットラインとが交差する領域に第1及び第2メモリセルの二つを具備することを特徴とする不揮発性メモリ装置。
IPC (4件)：
H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (2件)：
H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (8件)
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