特許
J-GLOBAL ID：200903042808303191
半導体装置、配線基板および配線基板製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
机 昌彦
, 河合 信明
, 谷澤 靖久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-132790
公開番号（公開出願番号）：特開2005-317704
出願日： 2004年04月28日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：
【課題】 半導体チップの微細化、多ピン化に伴い、ベース基板及び半導体チップ間の熱膨張率差に起因する内部応力が発生し、反り等の信頼性の問題が生じていた。【解決手段】 配線基板2としてシリコンからなるベース基板3の片面に有機絶縁樹脂を含んで構成した配線層7が形成され、反対のチップ装着面にも有機絶縁樹脂層8が形成されており、シリコンと有機絶縁樹脂との熱膨張係数差による基板内部応力は、表裏の有機絶縁樹脂によって均衡化されることから、反りの少ない配線基板となる。配線層7の最上層の電極に形成された外部接続バンプ5bから、配線層7、貫通孔6、内部接続バンプ5aを経由して、半導体チップ1の電極端子へと電気的、機械的に接続している。シリコンからなるベース基板3と半導体チップ1の熱膨張率は同等で、配線層7より小さいので内部応力は非常に小さくできる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体チップが配線基板にフリップチップ実装されている半導体装置であって、前記配線基板は、ベース基板と、該ベース基板の片面の配線層形成面に形成された絶縁層と配線とを有する配線層と、前記半導体チップを搭載する前記ベース基板の前記配線層形成面の裏面であるチップ装着面に形成された電極と、前記配線層形成面に形成された前記配線層と前記チップ装着面の裏面とに形成された前記電極とを電気的に接続する前記ベース基板に形成された貫通孔と、チップ装着面の配線層形成面に形成された有機絶縁樹脂層とを含み、前記ベース基板の熱膨張率は、前記半導体チップと同等もしくは前記配線層の熱膨張率以下であり、前記半導体チップは、前記チップ装着面にフェイスダウンで接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/14 R
, H01L23/12 501B
