特許
J-GLOBAL ID：200903074340012150

コンデンサ装置、コンデンサ装置の製造方法及びコンデンサ装置が実装されたモジュール

発明者：
柄澤 一明

柄澤 一明 について

, 
塩賀 健司

塩賀 健司 について

, 
今中 佳彦

今中 佳彦 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-181958
公開番号（公開出願番号）：特開2002-008942
出願日： 2000年06月16日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：
【要約】【課題】 回路基板への実装面積が小さく、かつコンデンサ容量が大きいコンデンサ装置を提供する。【解決手段】 第1のスルーホール12aを有し、第1のスルーホール12a内に導電体が充填された、シリコン単体或いはシリコン含有絶縁膜からなる基板10、もしくはサファイアからなる基板10と、第1の電極14と容量絶縁膜16と第2の電極18とがこの順に積層されてなるコンデンサとを有し、コンデンサが基板10上に形成され、コンデンサの第1の電極14が第1のスルーホール12a内の導電体に接続されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
シリコン単体或いはシリコン含有絶縁膜からなる基板、又はサファイアからなる基板に第1のスルーホールを形成する工程と、前記第1のスルーホール内に導電体を充填する工程と、前記基板上に前記第1のスルーホール内の前記導電体に接続された第1の電極を形成する工程と、前記第1の電極上に容量絶縁膜を形成する工程と、前記容量絶縁膜上に第2の電極を形成する工程とを有することを特徴とするコンデンサ装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01G 4/33 ,  H01G 2/06 ,  H01G 4/12 394 ,  H01G 4/12 400
FI (4件)：
H01G 4/12 394 ,  H01G 4/12 400 ,  H01G 4/06 102 ,  H01G 1/035 C
Fターム (32件)：
5E001AB01 ,  5E001AC04 ,  5E001AC10 ,  5E001AE01 ,  5E001AE03 ,  5E001AF02 ,  5E001AH03 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E001AJ03 ,  5E082AA01 ,  5E082AB01 ,  5E082BB02 ,  5E082BB05 ,  5E082BC39 ,  5E082CC02 ,  5E082EE05 ,  5E082EE11 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG42 ,  5E082GG01 ,  5E082GG10 ,  5E082GG11 ,  5E082GG21 ,  5E082JJ02 ,  5E082JJ15 ,  5E082JJ21 ,  5E082LL13
引用特許：
審査官引用 (11件)
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