特許
J-GLOBAL ID：200903042812368648

半導体装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

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高山 徹

高山 徹 について

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丸山 純矢

丸山 純矢 について

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大野 由美子

大野 由美子 について

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後藤 裕吾

後藤 裕吾 について

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桑原 秀明

桑原 秀明 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-431911
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221570
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】 半導体基板を用いることなく、様々な素子を集積する半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】本発明は、半導体基板を用いることなく、基板上にインダクタ、コンデンサ、抵抗素子、TFT素子、埋め込み配線などを含む被剥離層を形成し、この被剥離層を基板から剥離し、回路基板100に転写してワイヤ112やハンダ107で回路基板100に設けられた配線パターン114と導通させ、高周波モジュールなどを作製する。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
絶縁表面上にインダクタが形成された基板と、該インダクタに接続された薄膜トランジスタを有する層とが積層された複合集積回路を有する半導体装置。
IPC (10件)：
H01L27/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/12 ,  H01L27/00 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L29/786
FI (9件)：
H01L27/12 B ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 G ,  H01L27/00 301B ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 627D ,  H01L27/06 102A ,  H01L23/12 B
Fターム (61件)：
5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BC16 ,  5F048BF06 ,  5F048BF11 ,  5F048CB01 ,  5F052AA02 ,  5F052AA17 ,  5F052BA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA12 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052HA01 ,  5F052JA01 ,  5F052JA06 ,  5F052JA07 ,  5F052JA10 ,  5F110BB04 ,  5F110BB06 ,  5F110BB07 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HJ01 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN80 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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