熱処理方法および熱処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：吉田茂明 , 吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-003225
公開番号（公開出願番号）：特開2004-088052
出願日： 2003年01月09日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】基板上の温度分布の面内均一性を向上させることができる熱処理装置を提供する。【解決手段】光源10を構成する複数のフラッシュランプ69は、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプである。そして、フラッシュランプ69とリフレクタ71との間隔とフラッシュランプ69と半導体ウェハWとの間隔との比率が1.8以下または2.2以上となるように設定した。その結果、半導体ウェハWの主面におけるフラッシュランプ69の鉛直方向直下の照度が弱められる一方、隣接するフラッシュランプ69の間の鉛直方向直下の照度が強められることとなり、半導体ウェハWの主面全体における照度ムラが低減され、半導体ウェハW上の温度分布の面内均一性を向上させることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板に光を照射することにより基板を熱処理する熱処理方法において、基板処理面上に複数の光源からの照射光を導入する主加熱工程と、前記主加熱工程と同時に前記複数の光源からの照射光を反射鏡で反射して前記基板処理面上に導入する副加熱工程と、を具備し、前記主加熱工程による前記基板処理面上の光強度勾配のピークに対して前記副加熱工程による前記基板処理面上の光強度勾配のピークをずらしたことを特徴とする基板の熱処理方法。

IPC (1件)：

H01L21/26

FI (2件)：

H01L21/26 J , H01L21/26 G

引用特許：

出願人引用 (5件)

CVDリアクタ壁の反射表面
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-502246 出願人：エーエスエムアメリカインコーポレイテッド
特開昭57-050427
熱処理方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-345066 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (5件)

CVDリアクタ壁の反射表面
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-502246 出願人：エーエスエムアメリカインコーポレイテッド
特開昭57-050427
熱処理方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-345066 出願人：株式会社東芝

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