特許
J-GLOBAL ID：200903026003637772

熱処理方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
伊藤 貴之

伊藤 貴之 について

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飯沼 俊彦

飯沼 俊彦 について

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須黒 恭一

須黒 恭一 について

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有門 経敏

有門 経敏 について

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飯塚 佳男

飯塚 佳男 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-345066
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151428
出願日： 2000年11月13日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：
【要約】【課題】 400°C程度の低温で良質な強誘電体膜を形成すること、低温でコンタクト性の高いコンタクト部を形成すること、低温で急速にシリサイド形成を行うことなどを実施するための熱処理方法を提供する。【解決手段】 少なくとも2種類以上のランプを備え、第1のランプ(ハロゲンランプなど)6を点灯して試料(シリコンウェーハ)8を加熱し、一定の温度に達したところで第2のランプ(フラッシュランプ)7を点灯し、試料の温度をさらに上昇させ所望の温度に到達せしめる。即ち、点灯時間の異なる少なくとも2種類以上のランプを用いて加熱する工程を具備する。本発明は、コンタクトプロセスのサーマルバジェットの低減化を目的に発光波長分布と照射時間が異なる第1の加熱源と第2の加熱源とを組み合わせ、配線や電極と半導体基板や導電体膜とのコンタクト部等を高速反応させてコンタクト抵抗を低抵抗化させる。
請求項（抜粋）：
試料を加熱処理する際に、点灯時間の異なる少なくとも2種類以上のランプを用いて加熱する工程を具備し、前記試料を加熱処理する際に、第1の種類のランプを点灯し、続いて、前記第1の種類のランプの点灯中にフラッシュランプからなる第2の種類のランプを点灯して試料を加熱することを特徴とする熱処理方法。
IPC (7件)：
H01L 21/26 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/10 461
FI (7件)：
H01L 21/28 301 S ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 21/26 J ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/10 444 B
Fターム (62件)：
4M104BB14 ,  4M104BB20 ,  4M104BB25 ,  4M104DD02 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104FF22 ,  4M104HH15 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH18 ,  5F033HH27 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK25 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR15 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033VV16 ,  5F033XX09 ,  5F083AD10 ,  5F083AD21 ,  5F083FR02 ,  5F083GA02 ,  5F083GA25 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083KA01 ,  5F083KA19 ,  5F083KA20 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA18 ,  5F083NA03 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083ZA12
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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