半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：油井透 , 阿仁屋節雄 , 清野仁 , 福岡昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-080913
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277785
出願日： 2008年03月26日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：

【課題】低温での選択成長が可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】少なくともシリコン面と絶縁膜面とを表面に有する基板を処理室内に載置し、前記処理室の外側に配置された加熱手段により前記処理室内の雰囲気および前記基板を加熱する基板処理装置を用いて、前記シリコン面のみに選択的にエピタキシャル膜を成長させる半導体装置の製造方法であって、前記処理室内に前記基板を搬入する基板搬入工程と、前記基板と前記基板処理室内の温度を700°C以下の所定の温度に保ちつつ前記処理室内にジクロルシランガスと水素ガスとを供給して、前記シリコン表面に形成された自然酸化膜や不純物を除去する前処理工程と、前記処理室外へ前記基板を搬出する基板搬出工程とが含まれる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

少なくともシリコン面と絶縁膜面とを表面に有する基板を処理室内に載置し、前記処理室の外側に配置された加熱手段により前記処理室内の雰囲気および前記基板を加熱する基板処理装置を用いて、前記シリコン面のみに選択的にエピタキシャル膜を成長させる半導体装置の製造方法であって、前記処理室内に前記基板を搬入する基板搬入工程と、前記基板と前記基板処理室内の温度を700°C以下の所定の温度に保ちつつ前記処理室内にジクロルシランガスと水素ガスとを供給して、前記シリコン表面に形成された自然酸化膜や不純物を除去する前処理工程と、前記処理室外へ前記基板を搬出する基板搬出工程と、を含む半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 21/306 , C23C 16/24

FI (4件)：

H01L21/205 , H01L21/302 102 , H01L21/302 101H , C23C16/24

Fターム (33件)：

4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030BB02 , 4K030BB14 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA03 , 4K030FA10 , 4K030GA12 , 4K030JA10 , 4K030KA04 , 4K030KA22 , 4K030LA15 , 5F004AA14 , 5F004BD04 , 5F004DA00 , 5F004DA24 , 5F004DB00 , 5F004DB03 , 5F045AA06 , 5F045AB01 , 5F045AB02 , 5F045AB05 , 5F045AC05 , 5F045AC13 , 5F045AD11 , 5F045AE19 , 5F045AF03 , 5F045DB02 , 5F045DP19 , 5F045DP28 , 5F045EB15

引用特許：

審査官引用 (2件)

酸化シリコン薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-210595 出願人：シャープ株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-054629 出願人：株式会社東芝

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