特許

J-GLOBAL ID：200903042885909787

半導体装置およびその製造方法

発明者： 池田 良成 ,  飯塚 祐二
出願人/特許権者： 富士電機デバイステクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-115749
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277335
出願日： 2007年04月25日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：

【目的】半導体チップ/絶縁基板間などの半田接合部について、熱劣化を抑制して高温動作を保証し高いパワーサイクル耐性と長期信頼性の向上が図れる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。 【解決手段】半導体チップ3と銅回路パターン2bなどの半田接合層5において、中央部に鉛フリー半田8を使用し、外周部にはAgナノやAuナノなど金属粒子9を使用することで、高温動作可能なパワー半導体装置が可能となる。 【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

絶縁基板の回路パターン上に半導体チップを半田マウントした半導体装置において、 半導体チップ/回路パターン間の半田接合面域を半導体チップの中央部下に対応する中央面部と、該中央面部を取り囲む外周面部とに二分した上で、その中央面部には鉛フリー半田を適用して接合し、外周面部には金属粒子の焼結により接合したことを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 21/52

FI (1件)：

H01L21/52 E

Fターム (4件)：

5F047BA00 ,  5F047BA05 ,  5F047BA15 ,  5F047BA19

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 鉛フリーはんだ接続構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-207213   出願人：株式会社日立製作所
• パワー半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-347356   出願人：富士電機ホールディングス株式会社