特許
J-GLOBAL ID：200903042921382790

薄膜トランジスタの製造方法と薄膜トランジスタアレイの製造方法

発明者：
古田 守

古田 守 について

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吉岡 達男

吉岡 達男 について

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筒 博司

筒 博司 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-058917
公開番号（公開出願番号）：特開平9-252135
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：
【要約】【課題】 薄膜トランジスタの多結晶シリコン薄膜の未結合手を補償して特性の向上を図るとともに、製造時間を短縮し生産性を向上する。【解決手段】 ガラス基板11上に多結晶シリコン薄膜13を形成し島状に加工する。ゲート絶縁膜14とゲート電極15を形成した後、多結晶シリコン薄膜13にソース・ドレイン領域を形成するため燐イオンを注入する。このとき、イオンドーピング法を用い、燐の水素希釈ガスをプラズマ分解したイオンを、質量分離を行わずに加速して注入することにより、マスクとなるゲート電極15およびゲート絶縁膜14中に多量の水素イオンが注入される。層間絶縁膜18および各電極を形成した後、プラズマCVD法により窒化シリコン膜を形成して保護絶縁膜22とする。その後、水素雰囲気にてアニール処理を行うことにより、ゲート電極15およびゲート絶縁膜14中の水素が多結晶シリコン薄膜13へ拡散し未結合手を補償する。
請求項（抜粋）：
ゲート電極との間にゲート絶縁膜を形成し、かつソース・ドレイン領域およびチャネル領域となる多結晶シリコン薄膜を有する薄膜トランジスタの製造方法であって、前記ゲート絶縁膜およびゲート電極に水素を導入する工程と、前記ゲート絶縁膜およびゲート電極中の水素を前記多結晶シリコン薄膜のチャネル領域に拡散させるために熱処理を行う工程とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338
FI (7件)：
H01L 29/78 627 E ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338 K ,  H01L 29/78 617 S ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 627 F
引用特許：
審査官引用 (3件)

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