特許

J-GLOBAL ID：200903042964822190

電子デバイス用基板、電子デバイスおよびそれらの製造方法

発明者： 野口 隆男 ,  斉藤 久俊 ,  阿部 秀典
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (1件)： 星宮 勝美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-206559
公開番号（公開出願番号）：特開2005-056940
出願日： 2003年08月07日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：

【課題】結晶性と、基体に対する密着性が共に優れた導電体膜を備えた電子デバイス用基板および電子デバイスを実現する。【解決手段】電子デバイス用基板10は、基体11と、この基体11の上に積層された密着膜12と、この密着膜12の上に積層された導電体膜13とを備えている。密着膜12は、ウルツァイト型結晶構造の結晶を含む非エピタキシャル膜である。電子デバイスは、電子デバイス用基板10と、この電子デバイス用基板10の上に配置され、所定の機能を有する機能膜とを備えている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基体と、 前記基体の上に積層された密着膜と、 前記密着膜の上に積層された導電体膜とを備え、 前記密着膜は、ウルツァイト型結晶構造の結晶を含む非エピタキシャル膜であることを特徴とする電子デバイス用基板。

IPC (7件)：

H01L41/22 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L27/105 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H03H9/17

FI (8件)：

H01L41/22 Z ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/283 C ,  H03H9/17 F ,  H01L41/08 C ,  H01L41/18 101B ,  H01L27/10 444C ,  H01L41/18 101D

Fターム (27件)：

4M104AA01 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104EE02 ,  4M104EE11 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104GG19 ,  4M104GG20 ,  4M104HH08 ,  4M104HH09 ,  5F083FR01 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5J108AA00 ,  5J108BB07 ,  5J108BB08 ,  5J108CC11 ,  5J108KK01

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭57-048820
  
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-204432   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 特開平4-351733
  
• 半導体素子の製造方法及び半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-385599   出願人：ソニー株式会社
• 圧電共振子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-276869   出願人：京セラ株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 半導体用語大辞典, 19990320, 第1版, p.271