特許
J-GLOBAL ID:200903042970871411
成膜モニタリング方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山川 政樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-004354
公開番号(公開出願番号):特開2003-201562
出願日: 2002年01月11日
公開日(公表日): 2003年07月18日
要約:
【要約】【課題】 外部要因の影響などを受けにくい状態で安定に成膜状態がモニタできるようにする。【解決手段】 プラズマが生成されている状態で、ターゲット105の表面近傍における発光を観測し、例えば、ターゲットの表面近傍における発光光より、反応性ガスに関与する波長の発光ピークを観測することで、ターゲット105の表面におけるターゲット105を構成する物質と反応性ガスを構成する物質との化合状態を監視し、また不活性ガスに関与する波長の発光ピークを観測することで、不活性ガスによるプラズマ状態を監視し、成膜状態を監視する。
請求項(抜粋):
内部にターゲットが固定された密閉可能な容器に不活性ガスと反応性ガスとを導入してプラズマを生成し、このプラズマにより前記ターゲットをスパッタして、前記容器の内部に載置された基板上に前記ターゲットを構成する物質と前記反応性ガスを構成する物質からなる薄膜を形成する成膜方法において、前記プラズマが生成されている状態で、前記ターゲットの表面近傍の発光を観測して前記基板上に形成される前記薄膜の成膜状態を監視する工程を備えたことを特徴とする成膜モニタリング方法。
IPC (3件):
C23C 14/54
, C23C 14/34
, H01L 21/31
FI (3件):
C23C 14/54 E
, C23C 14/34 U
, H01L 21/31 C
Fターム (17件):
4K029BA44
, 4K029BD01
, 4K029BD11
, 4K029CA06
, 4K029DA03
, 4K029DC03
, 4K029DC48
, 4K029EA06
, 5F045AA19
, 5F045AB31
, 5F045AB32
, 5F045AB33
, 5F045AB34
, 5F045BB12
, 5F045DP03
, 5F045DQ10
, 5F045GB08
引用特許:
審査官引用 (8件)
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特開平1-283357
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特開昭64-039362
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スパッタリング装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-151698
出願人:キヤノン株式会社
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特開昭63-050467
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特開昭57-161063
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特開平3-061355
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特開昭63-250459
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チタン酸化物の成膜方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-169168
出願人:旭硝子株式会社
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