特許

J-GLOBAL ID：200903042981084802

レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

発明者： 三村 岳由 ,  川上 晃也 ,  松宮 祐
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-207891
公開番号（公開出願番号）：特開2008-033102
出願日： 2006年07月31日
公開日（公表日）： 2008年02月14日
要約：

【課題】新規なレジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する基材成分(A)および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、前記(A)が、フラーレンC60のフラーレン骨格上にフェノール性水酸基で表される部分構造を有するフラーレン誘導体(A1-1)、または酸不安定性基で表される部分構造を有するフラーレン誘導体(A1-2)を含有する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する基材成分(A)および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、 前記基材成分(A)が、フラーレンC60のフラーレン骨格上に下記一般式(A1-1)で表される部分構造を有するフラーレン誘導体(A1-1)、および/またはフラーレンC60のフラーレン骨格上に下記一般式(A1-2)で表される部分構造を有するフラーレン誘導体(A1-2)を含有することを特徴とするレジスト組成物。

IPC (3件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/038 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/038 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (15件)：

2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB28 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17

引用特許：

出願人引用 (2件)

• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-201310   出願人：東京応化工業株式会社
• フラーレン誘導体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-210028   出願人：中村栄一, 三菱化学株式会社