半導体装置とその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-197841
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017686
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、ゲート絶縁膜にAl2O3及びLn2O3を用いた場合の膜中に発生する負の固定電荷を補償して、フラットバンド電圧のシフトを抑えた半導体装置とその製造法を提供することにある。【解決手段】本発明は、シリコン単結晶基板上にゲート絶縁膜を有する半導体装置において、前記ゲート絶縁膜は、A1-xBxOy(x=0.01〜0.3、y=1.5〜3.0、AはIII族金属、BはV族金属及びVI金属の少なくとも一方)の組成を有すること、又、酸化シリコン及び窒化シリコンの1種以上からなる層と、A1-xBxOy(x=0.01〜0.3、y=1.5〜3.0、AはIII族金属、BはV族金属及びVI金属の1種以上)の組成を有する層との多層からなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板上にゲート絶縁膜を有する半導体装置において、前記ゲート絶縁膜は、A1-xBxOy(x=0.01〜0.3、y=1.5〜3.0、AはIII族金属、BはV族金属及びVI族金属の1種以上)の組成を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , C23C 16/40 , H01L 21/316

FI (3件)：

C23C 16/40 , H01L 21/316 X , H01L 29/78 301 G

Fターム (51件)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA16 , 4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 5F058BA01 , 5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BF04 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BJ01 , 5F140AA00 , 5F140AA06 , 5F140AA39 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD13 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BG38 , 5F140BG43 , 5F140BG44 , 5F140BH21 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BJ07 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK25 , 5F140BK30 , 5F140BK38 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CE05

引用特許：

審査官引用 (2件)

改善されたゲ-ト誘電体を有するMOSトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-148993 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
高誘電率ゲート絶縁体を有するULSIMOS
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-557496 出願人：ラムリサーチコーポレーション

前のページに戻る