特許

J-GLOBAL ID：200903043129439978

金属化合物薄膜およびその製造方法、ならびに当該金属化合物薄膜を含む半導体装置およびその製造方法

発明者： 岩本 邦彦 ,  富永 浩二 ,  生田目 俊秀 ,  西村 智朗
出願人/特許権者： ローム株式会社 ,  株式会社堀場製作所 ,  株式会社ルネサステクノロジ ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (1件)： 森下 賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-399459
公開番号（公開出願番号）：特開2005-166696
出願日： 2003年11月28日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】 金属酸化膜を含む高誘電率膜中における酸素や金属元素の拡散を抑制し、この膜を用いた素子の信頼性を向上させる。【解決手段】 基板表面を洗浄した後(S10)、界面層または拡散防止膜を形成し(S12)、その上に金属酸化膜を堆積する(S14)。つづいて、NH3雰囲気下でアニールを行い、金属酸化膜中に窒素を拡散させる(S16)。ステップ14およびステップ16の処理を所定回数行った後(S18のYES)、O2雰囲気下でアニールを行う(S20)。O2雰囲気下でのアニールを650°Cより高い温度で行うことにより、金属酸化膜のリーク電流を低減することができる。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

基板上に、原子層堆積法により金属酸化膜を形成する工程と、 前記金属酸化膜に対して、窒素化合物ガスを含む雰囲気中で第一のアニールを行い、前記金属酸化膜中に窒素を拡散させ、金属酸窒化膜を形成する工程と、 前記金属酸窒化膜に対して、酸化性ガスを含む雰囲気中で650°Cより高い温度で第二のアニールを行う工程と、 を含むことを特徴とする金属化合物薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/318 ,  H01L29/78

FI (2件)：

H01L21/318 C ,  H01L29/78 301G

Fターム (44件)：

5F058BA01 ,  5F058BC03 ,  5F058BC09 ,  5F058BC20 ,  5F058BD05 ,  5F058BD12 ,  5F058BD18 ,  5F058BF06 ,  5F058BF20 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02 ,  5F140AA02 ,  5F140AA06 ,  5F140AA19 ,  5F140AA24 ,  5F140AA28 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD06 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE16 ,  5F140BE17 ,  5F140BE19 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG52 ,  5F140BK13 ,  5F140CB04 ,  5F140CE10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• MIS型電界効果トランジスタ及びこれの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-094052   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (1件)

• 誘電層を形成する方法及び関連するデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-137665   出願人：インテルコーポレイション