特許
J-GLOBAL ID：200903043130621453
半導体基体及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-193346
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023953
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】【課題】半導体基体上の半導体薄膜を剥離し半導体デバイスの基板として利用する際に、短時間に剥離層が形成できる。又、薄膜を剥離した後の半導体基体の繰り返し使用が容易になり、これにより生産性が向上する。【解決手段】半導体基体上の多孔質層内に多孔率の違う領域が混在する混在層4を形成し、かつ半導体基体上の多孔質層内に少なくとも1層の機械的強度が低下している空隙層を含む剥離層7を形成する。
請求項（抜粋）：
表面から、第一多孔質層と第二多孔質層と非多孔質半導体層とを少なくともこの順に有する半導体基体において、該第一多孔質層と第二多孔質層との間に、該第一多孔質層および第二多孔質層よりも多孔率が小さい小多孔率領域と、該第一多孔質層および第二多孔質層よりも多孔率が大きい大多孔率領域とが混在する混在層を有することを特徴とする半導体基体。
IPC (4件)：
H01L 21/3063
, H01L 21/02
, H01L 31/04
, C25D 11/32
H01L 21/306 L
, H01L 21/02 B
, C25D 11/32
, H01L 31/04 X
5F043AA09
, 5F043AA40
, 5F043BB30
, 5F043DD01
, 5F043DD30
, 5F043GG10
, 5F051AA01
, 5F051AA02
, 5F051GA04
, 5F051GA06
, 5F051GA11
, 5F051GA14
