特許
J-GLOBAL ID：200903053931649444
薄膜半導体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-234490
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079330
出願日： 1996年09月04日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 薄膜半導体を、低コストをもって容易、確実に得ることができるようにする。【解決手段】 半導体基体の表面を多孔質層に変化させる工程と、この多孔質層に半導体膜を形成する工程と、この半導体膜を上記多孔質層を介して半導体基体から剥離する工程と、多孔質層の上記半導体基体に残存する多孔質膜をエッチング除去する多孔質膜の除去工程とを採る。
請求項（抜粋）：
半導体基体表面を多孔質層に変化させる工程と、該多孔質層に半導体膜を形成する工程と、該半導体膜を上記多孔質層を介して上記半導体基体から剥離する工程と上記多孔質層の上記半導体基体に残存する多孔質膜を化学薬品によるエッチングによって除去する多孔質膜の除去工程とを有することを特徴とする薄膜半導体の製造方法。
引用特許：
引用文献：
審査官引用 (1件)
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日経マイクロデバイス, 199407, 1994年7月号, P.76-77
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